12月3日，中国科学院院士、北京大学信息科学技术学院教授彭练矛携纳米器件物理与化学教育部重点实验室、北京大学、北京大学量子材料中心、北京元芯碳基集成电路研究院、粤科金融集团、墨羲科技的相关领导及专家到季华实验室参观交流。季华实验室主任助理项阳接待了彭练矛院士一行。

△彭练矛院士一行到季华实验室参观交流

首先，彭练矛院士拜访了中科院院士、季华实验室研究员叶恒强，两位院士就科研工作的近况与心得展开深入交流。随后，彭练矛院士实地参观了微波与真空技术研究室等实验室，认真了解季华实验室在半导体技术与装备方向的在研项目及科研成果。

△彭练矛院士分享碳基芯片的最新研究进展及产业化落地项目

在座谈会上，彭练矛院士详细分享了其在碳基芯片方面取得的最新研究进展，并着重介绍了碳基芯片产业化落地项目。佛山市科技局党组书记、局长薛立伟，季华实验室主任助理项阳、科研管理处处长郭汝海、大功率半导体研究部部长伍三忠、测试中心主任谭军、大功率半导体项目负责人罗骞出席了座谈，与彭练矛院士就碳基芯片的核心关键技术问题及产业化发展进行深入交流，共同探讨项目合作的机会。

△座谈会现场

据彭练矛院士介绍，碳基芯片技术有望全方位促进现有半导体技术的发展。这项新技术可以突破目前硅基芯片的物理极限，延续摩尔定律。目前用于芯片制造的为硅基材料，而碳基芯片一旦成功制取之后，无论是在成本、性能还是功耗上都要优于硅基芯片。根据实验认证，28nm的碳基芯片，就能够达到7nm硅基芯片的相关性能，所以在碳基芯片研发成功之后，我们只需要28nm的光刻机就够了，也就意味着可以绕过顶尖的光刻机，实现目前所需要的芯片主流配置，我们也将有能力实现自主的国产化。彭练矛院士表示，季华实验室在半导体技术与装备方向已有较好的战略布局及科研成果，希望与会多方加强交流与合作，共同促进中国半导体技术及产业的创新发展。

彭练矛院士简介

彭练矛院士，材料物理学家，主要从事碳基电子学领域研究。1982年毕业于北京大学无线电电子学系并获学士学位，1988年于亚利桑那州立大学获博士学位。2019年当选为中国科学院院士。现为北京大学信息科学技术学院电子学系教授、系主任。1994年获首批国家杰出青年科学基金资助，1999年入选首届教育部“长江学者奖励计划”特聘教授。2000年当选英国物理学会会士。现任中国真空学会副理事长、《应用物理期刊》（Journal of Applied Physics）副主编、北京元芯碳基集成电路研究院院长等。

彭练矛院士长期从事碳基电子学领域的研究，做出一系列基础性和开拓性贡献。四次担任国家“973计划”、重大科学研究计划和重点研发计划项目首席科学家。发展一整套碳纳米管CMOS集成电路和光电器件的无掺杂制备新技术；首次实现5纳米栅长碳管晶体管，证明器件在本征性能和功耗综合指标上相较最先进的硅基器件具有约10倍的综合优势，性能接近由量子测不准原理决定的理论极限；制备新型超低功耗狄拉克源晶体管，为超低功耗纳米电子学的发展奠定基础，极大推进了碳基集成电路的竞争力和实用化发展。在《科学》等期刊发表SCI论文400余篇。

相关成果获国家自然科学二等奖、高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）自然科学一等奖、北京市科学技术一等奖，入选中国科学十大进展、中国高等学校十大科技进展、中国基础科学研究十大新闻。个人获何梁何利基金科学与技术进步奖、全国创新争先奖、推动“北京创造”的十大科技人物等荣誉。